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簡要描述：APD-QE 采用了光束空間強度技術，利用 ASTM 標準制定的「Irradiance Mode」測試方式，與各種優(yōu)良探尖臺形成完整的微米級光感測器全光譜效率測試解決方案。APD-QE 已被應用于多種優(yōu)良光感測器的測試中，例如在iPhone 曝光及其多種光感測器、Apple Watch 血氧光感測器、TFT 影像感測器、源動態(tài)圖元感測器（APS）、高靈敏度間切換 X 射線感測器等。
產品型號：APD-QE廠商性質：生產廠家更新時間：2025-04-08訪 問 量： 5771詳細介紹
| 品牌 | Enlitech | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 測量模式 | 交流 | 產地類別 | 進口 |
| 應用領域 | 環(huán)保,能源 |
隨著 5G 與移動設備的興起與普及，越來越多新型光傳感器被應用于我們的日常生活中。 為了能更好的應用在移動設備上，這些優(yōu)良光傳感器的組件感光面積越做越小。 但這些應用卻對優(yōu)良光傳感器的光感測性能要求卻越來越高。 在感光面積微縮的過程中，也帶來量子效率精準檢查的挑戰(zhàn)。 例如，傳統(tǒng)聚光型小光斑在不同波長下，色散差造成焦點位移可到 mm 等級。 難以將所有的光子都聚焦到微米等級的感光面積中。 因此，難以準確測得全光譜量子效率曲線。
APD-QE采用專門的光束空間均勻化技術，利用ASTM標準的Irradiance Mode測試方式，與各種優(yōu)良探針臺形成完整的微米級光感測器全光譜量子效率測試解決方案。 APD-QE 已被應用于多種優(yōu)良光傳感器的測試中，例如在 iPhone 激光雷達與其多種光傳感器、Apple Watch 血氧光傳感器、TFT 影像感測器、有源主動像素傳感器（APS）、高靈敏度間接轉換 X 射線傳感器等。
PEM™ （Photon-Energy Modulator） 簡介，這是一款革命性的解決方案，旨在將您的量子效率測試和光譜分析提升到新的高度。 這種創(chuàng)新工具可精確控制光子通量和能量，確保在各種波長下獲得準確可靠的結果。
傳統(tǒng)QE系統(tǒng)在新型光電傳感器測試的挑戰(zhàn)：
1.市面上的量子效率系統(tǒng)多為「功率模式」。
2.隨移動設備的大量普及，優(yōu)良光電傳感器如APD、SPAD、ToF等，組件收光面積均微型化，有效收光面積由數十微米到數百微米（10um ~ 200um）。
3.光束聚焦的「功率模式」 ，用來檢查小面積的優(yōu)良光電偵測器的問題：
a.難以將所有光子，全部打進微米等級的有效收光面積（無法達到功率模式的要求）=> 絕對 EQE 值難以取得。
b.在聚光模式下，難以克服光學色散差、球面像差等帶來的檢查誤差。 => EQE 光譜曲線不正確。
c.難以整合探針臺。
使用均勻光源的「照度模式」（Irradiance Mode） 符合ASTM E1021
取代傳統(tǒng)聚焦小光源，可以測試等級光電子檢測器。
均勢光斑可以克服色散差與像差的問題，可準確測量得EQE曲線
可搭配多種探針系統(tǒng)，實現非破壞性的快速測試。
整合光學與測試系統(tǒng)，提高系統(tǒng)搭建效率。
一體式自動化測試軟件，自動光譜保存與檢測，工作效率高。
測試特性：
– 環(huán)境效率 EQE
– 光譜回應 SR
– IV 曲線檢測
– NEP 光譜檢測
– D* 光譜檢測
– 噪聲-電流-頻率響應圖（A/Hz -1/2 ; 0.01Hz~1,000Hz）
– Flicker noise, Johnson Noise, Shot noise 分析
光焱科技Enlitech 的專家團隊擁有豐富的實驗室經驗和技術知識，能夠在線上或現場指導客戶進行精密測試。 例如，通過對噪聲電流頻率圖的詳細分析，Enlitech 幫助客戶識別潛在的測試誤差，優(yōu)化測試參數，從而提升測試的精確度與再現性。
Enlitech 深知，在光電領域中，精確測試對產品開發(fā)和質量控制至關重要。 客戶在面對如噪聲電流頻率、量子效率（EQE）、探測度（D*）及噪聲等效功率（NEP）等測試時，常常因儀器調校復雜、數據不穩(wěn)定而感到困惑。 針對這些痛點，Enlitech提供了全面的解決方案。
EQE 和 D* 等指標直接影響光電探測器的靈敏度和性能，這在半導體、通訊及航空航天等高科技領域尤為重要。 準確的測試數據不僅能夠幫助客戶提升產品質量，還能降低產品開發(fā)周期，節(jié)省成本。
定制化光斑尺寸與光強度光焱科技APD-QE光譜儀量子效率檢查系統(tǒng)在光束直達25mm光束尺寸、工作距200mm條件下檢查，可以達到光強度與光均強度如下。在波長530nm時，光強度可以達到82.97uW/(cm 2 )。
| 波長 (納米) | 半高寬（nm） | 光均U%=(Mm)/(M+m) | |
| 5毫米×5毫米 | 3毫米×3毫米 | ||
| 470 | 17.65 | 1.6％ | 1.0％ |
| 530 | 20.13 | 1.6％ | 1.2％ |
| 630 | 19.85 | 1.6％ | 0.9％ |
| 1000 | 38.89 | 1.2％ | 0.5％ |
| 1400 | 46.05 | 1.0％ | 0.5％ |
| 1600 | 37.40 | 1.4％ | 0.7% |
在光斑直徑25mm、工作距200mm條件下，APD-QE探測器量子效率測試系統(tǒng)測量的光均強度。
光焱科技具備自主光學設計能力。光斑與光強度在內容中，可以接受客製化，如有需要與我們聯繫。
定量控制功能：
APD-QE 光感測器量子效率檢測系統(tǒng)具有「定量」功能（選配），用戶可以透過控制各個單色光子數，讓各波長光子數都一樣，并進行測試。這也是光感測科技 APD-QE 光感測器量子效率檢測系統(tǒng)的獨到技術，其他廠商都做不到。
使用定量子數控制模式（CP控制模式），子數變化可以 < 1%
◆均光系統(tǒng)與探針臺整合:
◆ 高均光斑：采用了利傅立葉光學元件均光系統(tǒng)，可將單色光強度空間分布均勢化。在 10mm x 10mm 面積以 5 x 5 檢測光強度分，不一致勢在 470nm、530nm、630nm、850nm 均可小於 1%。在 20mm x 20mm 面積以 10 x 10 矩檢測光強度分，不一致勢可以小於 4%。
PDSW軟件采用全新SW-XQE軟件平臺，可進行多種自動化檢測，包含EQE、SR、IV、NEP、D*、速率雜訊電流圖（A/Hz1/2）、雜訊分析等。
▌EQE 測試
EQE測試功能，可以進行不同單色波長測試，并且可以自動測試全光譜EQE。
▌IV檢查
軟體可支持多種 SMU 控制，自動進行光照 IV 測試以及暗態(tài) IV 測試，并支持多圖顯示。
相對于其它 QE 系統(tǒng)，APD-QE 可以直接檢測并得到 D* 與 NEP。
升級FETOS軟件操作界面（選配），可測試3端與4端的Photo-FET組件。
APD-QE 系統(tǒng)由其出色的光學系統(tǒng)設計，可以組成多種探針臺。全波長光譜儀的所有光學元件都集成在精巧的系統(tǒng)中。單色光學儀引到探針臺遮光罩盒。圖像顯示了 MPS-4-S 基本探針臺組件，帶有 4 英寸真空吸入盤和 4 個帶有低噪音三軸電子的探針微定位器。
集成探針臺顯示微鏡，手動滑動切換到被測試設備的位置。使用滑動條件后，單色光源器被「固定」在設計位置。顯示微圖像可以顯示于屏幕上，方便用戶進行良好的連接。
A.定制化隔離遮光箱。
B. 由于優(yōu)良的PD估算響應速度，所以有效面積就要小（降低容量效率），因此，有很多需要整合探針臺的需求。
C. 可整合不同的半導體分析儀器如4200或E1500。
● LiDAR 中的光電探測器
● InGaAs 光電二維 / SPAD（單光子雪崩二極管）
● 蘋果手表光能傳感器
● 用于高增益感測和成像的光電二極管門控電晶體
● 高頻電感增益和填充系數光學靈敏度分析儀
● 高靈敏度X射線探測器表征
● 硅光學
● InGaAs APD（雪崩光電二極管）
應用 2：用于高增益?zhèn)鞲泻统上竦墓怆姸O管門控晶體管：
在光學傳感和成像應用中，為了提高靈敏度和 SNR，APS （active pixel sensor） 包括一個光電探測器或一個光電二極管和幾個晶體管，形成一個多組件電路。 其中一個重要的單元：像素內放大器，也稱為源追隨者是必須使用。 APS 自誕生之日起，就從三管電路演變?yōu)槲骞茈娐罚越鉀Q暈染、復位噪聲等問題。 除了 APS，雪崩光電二極管 （ APD ）及其相關產品：硅光電倍增器（SiPM）也可以獲得高靈敏度。 然而，由于必須采用高電場來啟動光電倍增和碰撞電離，因此在這些設備中高場引起的散粒噪聲很嚴重。
最近，提出了亞閾值操作光電二極管（PD）門控晶體管的器件概念。 它無需高場或多晶體管電路即可實現高增益。 增益源自光誘導的柵極調制效應，為了實現這一點，必須進行亞閾值操作。 它還以緊湊的單晶體管（ 1-T） APS 格式將 PD 與晶體管垂直集成，從而實現高空間分辨率。 這種器件概念已在各種材料系統(tǒng)中實施，使其成為高增益光學傳感器的可行替代技術。
APD-QE 系統(tǒng)致力于研究和分析光電二極管門控非晶硅薄膜晶體管：
1.不同光強下的光轉移曲線特性。
2.光強度函數的閾值電壓變化（ΔVth）。
3.有/無曝光的晶體管輸出特性。
4.量子效率與光敏增益光譜。
（a） a-Si：H 光電二極管門控 LTPS TFT 結構示意圖; （b） 等效電路圖，顯示具有高 SNR 的 APS
（a） 像素的顯微照片; （b） 部分陣列的顯微照片; （c） 圖像傳感器芯片的照片
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